4月8日至10日，值西安交通大学建校130周年暨西迁70周年之际，新型微系统核与空间辐射效应研讨会在中国西部科技创新港成功举办。研讨会在中国核学会的指导下由西安交通大学、中国核学会辐射物理分会、强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室联合主办，西安交通大学核科学与技术学院、微电子学院、微系统辐射效应与抗辐射加固关键技术创新团队联合承办。作为校庆系列重要学术活动，研讨会聚焦系统级芯片（SoC）、系统级封装（SiP）等新型微系统辐射效应与抗辐射加固关键技术研究，汇聚全国新型微系统“产学研用”领域70余名专家学者共商发展大计。

研讨会由西安交通大学核科学与技术学院贺朝会教授、微电子学院副院长张国和教授、核科学与技术学院书记臧航教授共同发起，得到了中国核学会辐射物理分会理事长/西北核技术研究院陈伟研究员的大力支持。中国航天科技集团九院技术首席赵元富研究员、中国科学院新疆理化所郭旗研究员、中国科学院微电子所韩郑生、罗家俊研究员、中国科学院近代物理所杜广华研究员、西安微电子技术研究所刘曦研究员、西北核技术研究院丁李利研究员、中国工程物理研究院电子工程所钟乐研究员等国内知名专家与会。赵元富研究员代表行业致辞。

研讨会邀请到西安微电子技术研究所刘曦研究员、中国科学院微电子所罗家俊研究员、中国科学院近代物理研究所杜广华研究员等16位行业专家进行了专题报告。各位专家分享了晶圆级封装高性能微系统辐射效应、SOI技术在核与空间微系统的应用前景、高能重离子微束 SEE 实验技术、系统级辐射耦合机制、SiP微系统新型架构设计、激光聚变高剂量率辐射源应用等最新研究成果，内容覆盖新型微系统发展趋势、辐射效应机理、抗辐射加固技术、模拟仿真方法、试验评估技术等方向，既有基础理论的原创性突破，也有工程应用的实践性创新，全面展现了我国新型微系统辐射效应领域的最新研究进展与发展态势。西安交通大学李洋助理教授代表团队作了《新型微系统的辐照效应研究进展及展望》的报告，系统介绍了学校微系统辐射效应与抗辐射加固关键技术创新团队在SoC、SiP器件辐射效应实验、仿真与加固技术方面的系列研究成果，汇报了西安交通大学“微系统辐射效应与抗辐射加固关键技术”创新团队的建设情况。

大会研讨阶段，专家们深入交流、凝聚共识：新型微系统在核与空间辐射环境下的可靠应用，是我国航天强国、核工业高质量发展的重要支撑。微系统辐射效应与抗辐射加固研究已从“必须做”的共识阶段，迈入“怎么做得细、做得深、做得实”的深化发展新阶段，亟待各单位和行业专家、学者共同努力，协同攻关。组建多学科交叉队伍，创新人工智能赋能辐射效应评估和抗辐照加固等新方法，围绕微系统应用类型凝练科学问题，形成规律性认识；产学研用深度融合，推进微系统用生态建设与技术标准制定；结合商业航天、深空探测等重大需求拓展微系统应用场景，支撑航天与核领域装备自主可控与可靠应用。

学校高度重视科技自主创新与产学研用深度融合，此次研讨会立足新型微系统在核与空间环境中的发展与应用，凝聚了各方共识，共同推动我国新型微系统辐射效应与抗辐射加固技术的创新发展。我校创新团队将持续传承西迁精神，聚焦国家战略需求，做强优势学科与创新团队，为核与航天领域高水平科技自立自强贡献力量。