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学术报告预告

2017年05月06日 14:44  点击:[]

题 目:材料研究与器件开发的新挑战及其技术变革—Nano-X

主讲人:丁孙安 研究员

讲座时间: 2017年5月19日(星期五)上午9:00

地 点: 西一楼344室(电信学院第一会议室)

随着纳米器件尺度的进一步缩小,材料的表面、界面特性对器件性能的影响越来越大,而目前的制造技术却很难解决大气环境(特别是氧、碳、水气)在工艺过程中对材料表面的不利影响。另一方面,纳米新材料的不断涌现,应用基础研究和器件工艺开发越来越重要,迫切需要将从材料到器件各个阶段的研究和开发紧密结合起来,创新研究手段,突破技术难题。

中科院苏州纳米所在建的纳米真空互联实验站(Nano-X)将开创一条新的科学研究和技术开发路线。它不但要建立一个全真空环境,最大限度排除大气的不利影响,而且把材料生长、器件工艺、测试分析的各种设备有机互联在一起,提供从基础研究到产业化的全链条支撑。这就可以更有效的探索材料、器件的本征性质,开发新材料、新工艺、新器件,大大缩短和简化从基础研究到应用开发的过程。

利用Nano-X这一变革性的研究技术,我们的核心研究团队正在以下几个领域探索新型纳米材料的本征性质: GaN基宽禁带半导体异质结界面特性与能带工程;金属/半导体界面本征性质与光电器件的新工艺开发;高温超导薄膜的原位电学输运特性研究;二维碳材料的原位制备与表征;表面纳米催化新能源材料的开发等。纳米真空互联实验站(Nano-X)是一个对外开放的研发平台。真空互联技术不但可以解决目前大气环境下分立设备难以解决的关键问题,而且可以在同一平台上开展多领域的合作研究,更好实现多学科的交叉融合、突破创新。

丁孙安简历

说明: E:\03-Personal\pic_2.jpg

1986年和1988年分别获得清华大学电子工程系工学学士和硕士学位;1992年获得中科院半导体所物理学博士学位。1996于德国马普学会的弗里兹-哈伯研究所完成博士后工作,又先后在日本广岛大学和美国缅因大学从事科研工作。2000年后转入工业界,先后在美国朗讯科技和英特尔公司从事技术研究和产品开发工作。2014年加入中科院苏州纳米所,研究员、博士生导师,担任纳米真空互联实验站副总指挥。真空互联试验站是一个目前世界上规模最大的,集材料生长、测试分析、器件工艺于一体的综合科学实验与技术开发的开放平台。 丁孙安博士获2014年苏州工业园区高科技领军人才称号,2015年江苏省双创人才,2016年江苏省双创团队领军人才。

主要研究领域:半导体薄膜材料与器件物理, 材料表征与测试, 表面与界面分析,真空技术与应用。首次用实验方法测量和验证了氮化镓单晶薄膜的能带结构和异质结能带位错,以及纳米硅量子点的量子局限效应。在国际一流刊物上发表了30多篇学术论文。

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