中国共产党党员，我国半导体领域著名科学家，西安交通大学半导体学科的创始人和学科带头人、离休干部罗晋生教授因病不幸于2019年3月21日17时20分在西安逝世，享年95岁。
罗晋生教授，1924年5月生于江苏镇江，1949年2月在上海加入中国共产党，1950年7月在交通大学物理系毕业并留校任教，1956年随校西迁至西安。从1950年起，先后在交通大学及西安交通大学任助教、讲师及副教授，1981年6月任教授，1982年在美国宾州州立大学和麻省理工学院作访问研究一年，1986年7月被国务院学位办批准为半导体器件与微电子学专业博士导师，1994年离休。
罗晋生教授一生致力于半导体领域的科学研究与教学工作，是我国半导体领域的著名科学家、先驱者和奠基人之一。他在半导体表面与界面物理、半导体离子注入及其快速退火技术、三-五族化合物高速半导体器件、功率半导体器件、半导体的椭偏光分析研究等方面取得了突出的成绩，为我国半导体科学的发展做出了重要贡献，赢得了大家的敬重和爱戴。罗晋生教授共发表学术论文240多篇，获得省部级以上科技奖七项。罗晋生教授长期担任国家“半导体与集成技术专业学会”委员，“表面与界面物理专业学会”委员，《半导体学报》《固体电子学研究与进展》及《微电子学与计算机》三个学术刊物的编委会委员。
罗晋生教授是西安交通大学半导体学科的主要创始人和学科带头人，曾长期担任西安交大半导体学科的领导人，为西安交大半导体学科的建立和发展殚精竭虑，呕心沥血，使学科长期处于国内一流水平。即使在古稀之年，仍然奋斗在教学、科研和人才培养的第一线，时刻关注学科的发展。罗晋生教授目光敏锐，学识渊博，治学严谨，1978年开始指导硕士生，1986年开始指导博士生，多年来培养了一大批活跃在国内外学术领域及业界的优秀人才，为我国半导体领域高层次人才培养做出了卓越贡献。由于成绩突出，他被陕西省教委和学位委员会评为优秀博士生指导教师，西安交通大学授予他“做出突出贡献的博士生指导教师”称号。
罗晋生教授主编和编写过四本教科书，作为主要编写人之一所编写的《半导体物理学》获1992年国家优秀教材特等奖，主编的《离子注入物理》1997年获原电子工业部优秀教材二等奖。主编的另外两部书分别是1986年出版的《非晶半导体》和1990年出版的研究生教材《半导体理论》。
罗晋升教授把一生奉献给了中国的半导体研究与教育事业，他的学术品德和崇高精神值得我们永远学习，我们沉痛悼念并深切缅怀罗晋升教授！
