报告时间：2020年9月26日星期六下午14点30分
报告地点：创新港4号巨构（泓理楼）4-4208
报告人：陈桥梁，龙腾半导体有限公司常务副总经理
邀请人：西安交通大学微电子学院贺永宁教授
报告摘要：
随着节能环保和特殊应用需求，开关电源对高功率密度和高效率的要求越来越高，功率MOSFET自上个世纪70年代开始在电力电子变换器的发展中扮演了至关重要的作用。本报告介绍了超结（Super-junction）MOSFET、屏蔽栅（Shielded-gate）MOSFET的技术现状及发展，从MOSFET的性能（FOM和RSP）提升角度阐述其如何对高效高密度电力电子变换器有显著的促进作用。本报告重点介绍了高效率开关电源的主流拓扑及控制方案，阐述不同应用方案对功率MOSFET的技术性能要求，典型应用领域包括新能源汽车用充电桩电源模块、车载充电机OBC/DC-DC、4G/5G通信电源、移动终端快充和LED驱动照明等。本报告最后介绍宽禁带器件SiC MOSFET和GaN HEMTs的关键特性及其在高效率电源中的应用现状和潜力。不同的应用领域对功率器件有不同的技术需求，如何辨识应用需求是设计和选择更加“易用和可靠”的功率器件的关键。
报告人简介：
陈桥梁，2001年在西安交通大学获得电气工程学士学位，分别于2004年和2008年在西安交通大学获得电力电子硕士和博士学位，2009年在美国弗吉尼亚理工大学（Virginia Tech.）国家电力电子系统工程研究中心（CPES）进行访问学者研究，2007年至2011年为FSP Group/Powerland西安分公司Director，2012年加入龙腾半导体有限公司，任董事、常务副总经理。
在IEEE国际期刊和国际会议上发表论文17篇，拥有7项美国专利，38项中国专利。获陕西省技术发明二等奖（第一完成人）1项，主持编写1项国家超结MOSFET行业标准（标准号SJ/T 9014.8.2-2018）（第一完成人），参编《中国电气工程大典》。为中国电源学会理事、专家委员会委员、CPSS元器件专委会委员、CPSS新能源专委会委员。入选2020年“百千万人才工程”国家级人选、2014年省“百人计划”创新全职项目、2011年陕西省“青年科技新星”、2013年西安市“5211”人才计划。
